Renesas R7FS7G27H2A01CBD微控制器: 240MHz Arm Cortex-M4处理器

2025-01-07 09:51:30

Renesas S7G2微控制器组是高性能微控制器，核心性能强，搭载240 MHz的Arm Cortex-M4核心等；内存丰富，有多种类型及相关功能；连接性佳，配备多种接口；模拟功能、定时器多样；支持多种加密算法保障安全；具备系统和电源管理功能；有人机界面相关功能；多时钟源；通用I/O端口多达172个；工作电压2.7至3.6 V，工作温度范围为 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C，有多种封装选项，适用于高性能、计算密集型、网络控制等多种应用 。

ARIZONA Capacitors W90系列高压电容器3000V-150000kV

2025-01-07 08:51:33

ARIZONA Capacitors W90系列额定电压范围为3kVDC至150kVDC，电容值最高可达2.000 μF，标准容差±10%；工作温度范围（G10外壳材料）按不同降额情况有所不同，全额定温度时为 -55°C至60°C，30%降额时为 -55°C至85°C，50%降额时为 -55°C至105°C，75%降额时为 -55°C至125°C；绝缘电阻在25 - 50kΩ，1,000Hz下损耗因子小于0.6%，经过130%额定电压1分钟测试，生产流程符合ISO 9001:2015认证，符合MIL-STD-202测试标准，可按需符合ROHS标准。

PESD24VL2BT低电容双向双ESD保护二极管NXP现货

2025-01-07 08:44:03

PESD24VL2BT是NXP公司的低电容ESD保护设备产品，采用SOT23封装，是低电容双向双ESD保护二极管，用于保护两条信号线免受ESD或瞬态电压损坏。其特性包括两条线路ESD保护、超低漏电流、350W最大峰值脉冲功率、高达23kV的ESD保护、低钳位电压等，符合相关标准；应用领域涉及计算机和外设、通信系统、音频视频设备、便携式电子设备、手机及附件、SIM卡保护等。

PDI VN04系列恒温晶体振荡器(OCXO)

2025-01-06 09:11:27

PDI VN04系列是烤箱控制晶体振荡器(OCXO)，能在苛刻环境下确保精确频率，具有超低相位噪声、高振动环境表现出色及采用双重密封石英晶体等特点，可提供定制频率，且公司提供快速样品服务、大规模生产能力和有竞争力的定价；产品主要规格包括尺寸、频率范围、输出类型等多方面参数，还给出了频率稳定性、频率调整、电源功耗、输出电压、负载、相位噪声等具体指标。

ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA现场可编程门阵列Lattice

2025-01-06 09:04:59

iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生产的FPGA和传感器管理器，专为超低功耗移动应用（如智能手机、平板电脑等）设计，包含与移动传感器和应用处理器接口的集成块。其特点包括灵活逻辑架构（有640或1K查找表两种设备）、超低功耗（40纳米低功耗工艺，待机电流35微安）、嵌入式和分布式存储等；应用领域涉及多传感器管理、IR遥控等；技术规格方面，不同型号逻辑单元数量不同，均有14个EBR内存块等，封装有16球WLCSP和36球ucBGA两种选项。

FSLD52TE-156.25MHz晶体控制振荡器Connor-Winfield

2025-01-06 09:00:53

Connor-Winfield FSLD52TE是表面贴装3.3V固定频率晶控振荡器(XO)，有HCMOS三态输出，专为低抖动和严格频率稳定性应用设计。其特点包括低抖动（<1ps RMS）、三态使能/禁用等；电气规格涵盖中心频率19.44 MHz至167 MHz、总频率容差±50ppm等；输入特性有使能和禁用电压；HCMOS输出特性涉及负载、高低电平电压电流等，启动时间为10ms。

Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶体管

2025-01-03 08:54:49

Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W内部预匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶体管，适用于0.9 GHz至1.4 GHz频率范围，具有出色的效率、热阻和坚固性，适用于航空电子应用；关键特性包括不同频率下的输出功率、功率增益、漏极效率、输入回波损耗等参数，还涉及热阻、漏源电压等多项指标，储存温度为-65℃ ~+150℃，且能承受特定条件下的额定负载功率。

Wi2Wi VNO5系列温控晶振(OCXO)

2025-01-03 08:50:06

Wi2Wi的VNO5系列是一款温控晶振（OCXO），能在苛刻条件下确保精确频率，具有超低相位噪声、高振动环境表现出色及采用双重密封石英晶体等特点，可按需定制频率，提供样品满足原型设计需求，具备大规模生产能力和竞争力定价；产品规格涵盖尺寸、频率范围、电源电压范围等多项参数，还给出了相位噪声典型值，最后附有订购指南。

LS1028A/LS1018A工业与汽车应用处理器NXP

2025-01-02 08:55:01

NXP LS1028A/LS1018A芯片相关介绍，LS1028A有两个核心，LS1018A为单核，核心为32/64位ARM Cortex-A72，最高1.5GHz，有一定缓存配置；内存控制器支持DDR3L/DDR4 SDRAM且支持ECC；支持多种高速串行接口并提供SerDes通道；内置LCD控制器支持高分辨率显示，GPU支持多种图形标准且有特定速率；集成TSN-capable以太网相关组件；有多种外设接口、DMA控制器、中断控制器与监控单元；采用FC-PBGA封装；适用于网络、工业、打印等领域，因能源高效、集成度高和成本效益受青睐。

HFBM075100S高频巴伦适配器：高速通信与极端环境应用

2024-12-31 08:36:43

HFBM075100S是一款高频巴伦适配器，用于将100Ω平衡差分信号转换为75Ω接地不平衡信号，适用于高速数据传输及飞行应用。其主要特性包括不平衡阻抗75Ω、平衡阻抗100Ω、最大插入损耗2dB等，支持高达1485Mbps数据速率，工作温度范围-55℃至+125℃，环境适应性强，包装为散装，连接器类型为BNC，应用于无线通信、广播等需信号转换的场合。

Solitron Devices SMF460 650V N沟道功率MOSFET

2024-12-30 08:51:50

Solitron Devices SMF460 MOSFET适用于高电压、高电流应用（如电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路），关键特性包括连续漏极电流10A、导通电阻300mΩ、内置快速恢复二极管、能承受高能量脉冲等；封装为TO-254密封封装，有背面隔离，可进行JANTX、JANTXV筛选；绝对最大额定值、电气规格和热阻等方面有一系列具体参数，如漏源电压650V、结温范围-55°C至150°C、热阻1.08°C/W等。

LC4128V-75TN100C CPLD复杂可编程逻辑器件Lattice

2024-12-27 09:16:44

Lattice的LC4128V-75TN100C是ispMACH? 4000V家族的高性能复杂可编程逻辑器件(CPLD)，适用于多种高速和复杂逻辑应用场景；技术规格包括逻辑块、全局时钟等多项参数，编程存储方面采用EEPROM，具备系统内可编程及可重编程支持；电源和环境方面有明确的电压、温度等要求，为商业级；采用100引脚TQFP封装，适用于表面贴装，尺寸为14mm*14mm*1.4mm；可应用于通信设备、工业控制系统、消费电子产品等需要高速逻辑处理和灵活设计的领域。

CS101,CS102,CS103...CS109电流感应变压器Vanguard Electronics

2024-12-27 09:14:00

Vanguard Electronics的CS100系列提供高可靠性电流感应变压器，按MIL-PRF-27规范制造，适合军事和航空航天应用，设计紧凑扁平且便于自动放置；具有低热膨胀、焊接内部连接、防潮抗冲击及浸入等特性，可定制设计和修改；电气规格涵盖电感值、最大电流等多项参数，工作温度-55°C至+125°C、储存温度-60°C至+130°C；有多种封装选项及类型，包括A-1至A-4封装，提供通孔和鸥翼型封装。

MSD5xA1G系列3.3V晶体控制振荡器(XO)Connor Winfield

2024-12-26 09:13:15

Connor Winfield MSD5xA1G系列是密封表面贴装3.3V晶体控制振荡器（XO），HCMOS/TTL兼容且符合RoHS标准，专为需低抖动和严格频率稳定性的应用设计；产品系列包括MSD54A1G（频率容差±20ppm）等不同型号；规格参数涉及频率范围1.8 - 156.25 MHz、存储温度-55至125°C等；主要特性有3.3V操作、低抖动等；操作规格涵盖操作温度范围、供电电流、抖动及相位噪声等相关数据；输入特性、HCMOS输出特性分别有对应具体参数。

Microsemi JANTX1N5618军级整流二极管 原装现货

2024-12-24 09:28:11

JANTX1N5618是一款符合MIL-PRF-19500/427标准的军用级别标准恢复整流二极管，属于1N5614至1N5622系列，采用无空洞的密封玻璃封装和三层钝化技术，提供高可靠性和高压承受能力（峰值反向电压范围200至1000伏特）。适用于军事、航空、工业控制和电源管理等领域，提供通孔和表面贴装（MELF配置）两种封装形式，满足不同应用需求。

DELTA HCME656510F电感器

2024-12-24 09:10:31

PmTA-721-45-2.3低噪声放大器Princeton Microwave

2024-12-23 09:10:01

PmTA-721-45-2.3低噪声放大器适用于需要高增益和低噪声系数的应用，如通信系统、雷达和电子战系统。其频率范围为7到21GHz、小信号增益至少45dB、增益平坦度±1.25dB、中频带噪声系数2.3dB、输入和输出回波损耗均为-10dB、输出功率至少15dBm、工作直流电压12V、工作直流电流100mA、连接器为SMA Female。

Solitron Devices SMF182 500V N沟道功率MOSFET

2024-12-23 09:05:11

Solitron SMF182是一款500V N沟道功率MOSFET，专为高电压和中电流的电力转换应用设计，具备7A连续漏极电流和850mΩ导通电阻，支持高效能和低功耗。其内置快速恢复二极管和优化的电气性能（如1.5V体二极管正向电压和700ns反向恢复时间）进一步提升了开关效率。SMF182还具有出色的热管理能力（0.767°C/W热阻），适用于电源转换器、电机驱动器和高功率开关电路等领域。

NXP QorIQ LS1088A/LS1048A多核通信处理器

2024-12-20 09:01:28

LS10x8A系列是一款多核通信处理器，集成了四到八个ARM Cortex-A53核心，最高频率1.6 GHz，适用于无线接入点、网络基础设施和工业应用。该处理器配备32 KB L1缓存、1 MB L2缓存（支持ECC）、NEON SIMD协处理器和ARMv8加密扩展。内存控制器支持32/64位DDR4 SDRAM，最高速率2.1 GT/s。其数据路径加速架构（DPAA2）提供数据包解析、分类、加密加速等功能，支持多种高速接口如PCIe 3.0、SATA 3.0、SGMII和XFI。其他外设包括QSPI、SPI、USB 3.0、I2C等，封装为780 FC-PBGA，广泛应用于路由器、虚拟CPE、工业通信和安全设备等领域。

Microsemi 1N3826AUR-1齐纳二极管

2024-12-20 08:57:13

Microsemi 1N3826AUR-1是一款5.1V、5%容差的Zener二极管，采用DO-213AB封装，具有1000毫瓦的功率和7欧姆的阻抗。其电气特性包括3.3V至6.2V的Zener电压、276至146欧姆的阻抗，以及3至100μA的最大反向漏电流。该二极管适用于-65°C至+175°C的工作和存储温度，且在超过125°C后每升高1°C功率降额20mW。