IR2113PBF 600V高低边驱动器IC
发布时间:2024-02-02 09:14:47 浏览:777
IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。它们具有独立的高低侧参考输出通道,采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术,因此具有非常坚固的单片结构。高低边栅极驱动器IC,可用于控制MOSFET和IGBT.
IR2110/IR2113的逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低工作电压可达3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最小化驱动器交叉导通。传播延迟匹配功能可以简化在高频应用中的使用。
对于高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT,IR2110/IR2113提供了浮动通道,其工作电压高达500伏甚至600伏。这使得它们非常适用于需要高压、高速功率开关的应用场合。
特征:
?浮动通道设计用于自启动操作,可在+500V或+600V下完全工作,可耐受负瞬态电压dV/dt免疫
?栅极驱动供电范围从10到20V
?两个通道的欠压锁定
?3.3V逻辑兼容独立逻辑供电范围3.3V至20V逻辑和电源接地±5V偏移
?CMOS施密特触发输入与下拉
?按周期边触发的停机逻辑
?两个通道匹配的传播延迟
?输出与输入相一致
选型:
IR2110STRPBF
IR2110SPBF
IR2113STRPBF
IR2113SPBF
IR2110PBF
IR2113PBF
深圳市利来国国际网站创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。
推荐资讯
CuClad?233层压板采用中等的玻璃纤维/PTFE比,能够在减少相对介电常数与优化损耗因子之间获得稳定平衡,同时不会影响机械性能。CuClad?233层压板采用交错编织布构造,尺寸稳定性效果更好,同时稳定平衡电气和机械性能。
Linear Systems的3N170和3N171是单N沟道增强型MOSFET,适用于快速切换和低漏源电阻应用。它们具有低电阻(r_ds(on) ≤ 200Ω)、快速开关时间(t_d(on) ≤ 3.0ns),并可在-55至+135°C的结温下工作。这些器件的连续功率耗散为300mW,最大电流为30mA,最大电压为±35V(漏到栅和栅到源)和25V(漏到源)。
在线留言