F3L150R07W2E3_B11三级相位支路IGBT模块Infineon英飞凌
发布时间:2024-04-26 09:15:51 浏览:1461
F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飞凌公司推出的三级相位支路IGBT模块,具有以下特点和优势:
特征描述:
1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技术,提高了阻断电压能力,达到650V;
2. 低电感设计,有助于减少系统中的电磁干扰;
3. 低开关损耗,有助于提高效率和节能;
4. 低 VCEsat,减少了功率损耗;
5. 采用低热阻Al2O3基板,有助于散热,提高性能稳定性;
6. 紧凑型设计,占用空间小,适合需要高集成度的应用;
7. PressFIT 压接技术,方便安装维护;
8. 集成的安装夹使安装更坚固,提高了系统的可靠性。
优势:
1. 紧凑模块的概念,适合空间有限的应用场合;
2. 优化客户的开发周期,降低成本,有助于客户节约时间和成本;
3. 灵活的配置,可以满足不同客户的需求,提供个性化的选择。
onfiguration | 3-level |
Dimensions (width) | 48 mm |
Dimensions (length) | 56.7 mm |
Features | PressFIT ; Phase leg |
Housing | EasyPACK? 2B |
IC(nom) / IF(nom) | 150 A |
IC max | 150 A |
Qualification | Industrial |
Technology | IGBT3 - E3 |
VCE(sat) (Tvj=25°C typ) | 1.45 V |
VCES / VRRM | 650 V |
VF (Tvj=25°C typ) | 1.55 V |
Voltage Class max | 650 V |
深圳市利来国国际网站创展科技有限公司,优势分销Infineon英飞凌部分产品线,快速交付,欢迎联系。
推荐资讯
Microsemi 1N3595AUR是一款高可靠性开关二极管,采用金属化键合、气密封装的双插头结构(DO-213AA),符合MIL-PRF-19500/241标准。其电气特性包括宽范围的正向电压(0.52V-1.00V)、极低的反向漏电流(最大3?A)和快速反向恢复时间(≤3.0?s),适用于高频开关、电源整流、脉冲电路及军用航空电子设备。该二极管具有优异的热性能,工作温度范围为-65°C至+175°C,支持高浪涌电流(1?s下4A)和125V直流反向电压,封装尺寸紧凑,引脚材料为铜包钢,表面镀锡/铅,确保高稳定性和耐用性。
Microsemi 1N3826AUR-1是一款5.1V、5%容差的Zener二极管,采用DO-213AB封装,具有1000毫瓦的功率和7欧姆的阻抗。其电气特性包括3.3V至6.2V的Zener电压、276至146欧姆的阻抗,以及3至100μA的最大反向漏电流。该二极管适用于-65°C至+175°C的工作和存储温度,且在超过125°C后每升高1°C功率降额20mW。
在线留言