Solitron SMF473 400V N沟道功率MOSFET
发布时间:2024-09-10 09:10:21 浏览:2170
Solitron SMF473是一款专为高功率应用设计的400V N沟道功率MOSFET。它具备多项关键特性,包括低R DS(on)(在400V时为40mΩ,10V时为22mΩ典型值)、高耐压(400V)、高输入电容(C iss,最大2900pF)和高输出电容(C oss,最大3900pF),以及低反向恢复电荷(Q rr,最大22nC)。这些特性使SMF473在开关电源、电机驱动和服务器电源等应用中表现卓越。
该MOSFET的电气规格全面,包括连续漏极电流ID为23A(在特定条件下),脉冲漏极电流IDM高达92A,最大功率耗散P为250W,并具备线性降额因子2W/°C。其工作温度范围广泛,从-55°C至150°C,存储温度范围同样为-55°C至150°C,确保了在各种环境下的稳定运行。
SMF473采用TO-247-3L和D-Pak封装,不仅提供了良好的散热性能,还便于在电路板上安装和使用。其详细的规格参数和广泛的应用领域,使得Solitron SMF473成为高功率电子设计中的理想选择。
应用领域:
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- PFC电路
- 交流和直流电机驱动
- 机器人与伺服控制
参数:
PARAMETER SYMBOL VALUE CONDITIONS | |||
Continuous Drain Current | I | 23A | V=10V,T=25℃ |
14A | Ves=10V,Te=100℃ | ||
Pulsed Drain Current (see note 1) | I | 92A | |
Max.Power Dissipation | P | 250W | T=25℃ |
Linear Derating Factor | 2W/℃ | ||
Gate-to-Source Voltage | V | :20V | |
Single Pulse Avalanche Energy (see note 2) | E | 980mJ | |
Avalanche Current (see note 1) | I | 23A | |
Repetitive Avalanche Energy (see note 1) | E | 25mJ | |
Peak Diode Recovery dv/dt (se note 3) | dv/dt | 4V/ns | |
Operating JunctionTempeature | T | 55℃to 150℃ | |
Storage Temperature Range | T | -55℃to 150℃ | |
Lead Temperature | 300℃ | 0.063in. (1.6mm)from case for 10s | |
Weight (typical) | 9.3g |
Solitron SMF178 500V n沟道功率MOSFET 是一款高性能的半导体器件,适用于各种需要高电压和高电流处理能力的应用。其出色的电气特性、快速切换能力和可靠性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。无论是用于电源管理、电机控制还是其他高功率应用,SMF178 都能提供卓越的性能和稳定性。
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