Infineon英飞凌IRF3205PBF单N沟道功率MOSFET

发布时间：2024-07-30 09:10:16 浏览：849

　　IRF3205PBF是一款单N沟道功率MOSFET，属于IR (现被Infineon收购)MOSFET系列，采用TO-220封装，最大耐压为55V。该器件采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了广泛的器件组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源(SMPS)、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用各种表面贴装和通孔封装，具有行业标准封装，便于设计。

　　特征描述

　　平面单元结构：适用于宽安全工作区(SOA)。

　　广泛可用性：针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化。

　　产品认证：符合JEDEC标准。

　　硅优化：针对开关频率低于100kHz的应用进行了优化。

　　行业标准通孔功率套件。

　　高电流额定值。

　　优势

　　提高坚固性。

　　广泛可用性：来自分销合作伙伴。

　　行业标准资质。

　　在低频应用中具有高性能。

　　标准引脚排列：允许直接替换。

　　高电流能力：最大电流ID (@25°C)为110A。

　　技术参数

　　封装：TO-220。

　　极性：N沟道。

　　总栅极电荷(QG)：典型值为97.3 nC(@10V)。

　　栅源电荷(Qgd)：36 nC。

　　导通电阻(RDS(on))：最大值为8 mΩ(@10V)。

　　热阻(RthJC)：最大值为1 K/W。

　　工作温度：最小-55°C，最大175°C。

　　总功率耗散(Ptot)：最大150W。

　　最大结温(Tj)：175°C。

　　最大漏源电压(VDS)：55V。

　　栅源电压(VGS)：最大20V。

　　阈值电压(VGS(th))：最小3V，最大4V。

深圳市利来国国际网站创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

上一篇: Lattice LFE2M35E-7FN484C现场可编程门阵列FPGA

下一篇: O08-T-25000X-C-D-B-3-R-X时钟振荡器PDI